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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]碳化硅拋光墊選型指南：4道工序如何匹配CMP解決方案？[ 2025-05-02 09:00 ]
在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點(diǎn)及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：碳化硅拋光墊選型要點(diǎn)一、碳化硅襯底粗磨階段需求：高材料去除率、強(qiáng)耐磨性。推薦：高硬度復(fù)合無紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設(shè)計增強(qiáng)研磨液流動性，避免碎屑堆積。二、碳化硅襯底精磨階段需求：平衡表面平整度與中等去除率。推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性，減少亞表面損傷。碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅襯底粗拋階段需求：過渡到低表面
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[吉致動態(tài)]先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進(jìn)展[ 2025-04-22 16:26 ]
化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進(jìn)行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術(shù)積累可
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[行業(yè)資訊]吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產(chǎn)替代[ 2024-12-31 14:03 ]
  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場中，高端領(lǐng)域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產(chǎn)品被廣泛采用，同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產(chǎn)品。此外，日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關(guān)鍵角色，其主打產(chǎn)品包括G804W、728NX和FPK66等型號。  在競爭激烈的半導(dǎo)體集成電路市場中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產(chǎn)品外，國內(nèi)一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新，試圖打破現(xiàn)有的市場格局，為
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[吉致動態(tài)]碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝[ 2024-01-26 16:25 ]
 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關(guān)工藝
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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點(diǎn)，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[行業(yè)資訊]吉致電子--拋光液的主要成分和功能有哪些？[ 2022-07-22 16:52 ]
  拋光液的主要成分可分為以下幾類:氧化鋁拋光液、氧化鈰拋光液、金剛石研磨液(聚晶鉆石拋光液、單晶金剛石拋光液、納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液、碳化硅拋光液。  硅溶膠拋光液(氧化硅拋光液)是以高純硅粉為原料，通過特殊工藝（如水解法）生產(chǎn)的高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于多種納米級材料的高平坦化拋光，如硅晶片、鍺晶片、砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料、精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石襯底、藍(lán)寶石窗口等。  金剛石拋光液以金剛石微粉為主要成分，高分散配方，硬度高韌性好，有良好的高切削率，不易
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