化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過(guò)化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度，對(duì)集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化角度進(jìn)行專(zhuān)業(yè)分析：

一、CMP工藝核心要素

1. 拋光液（Slurry）

• 化學(xué)組分：氧化劑（如H₂O₂用于Cu CMP）、磨料（納米SiO₂/Al₂O₃）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對(duì)材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。

• 關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。

• 吉致電子優(yōu)勢(shì)：25年技術(shù)積累可提供SiC晶片（硬度高，需高選擇性研磨液）和鉬（易氧化，需緩蝕配方）等特殊材料解決方案。

2. 拋光墊（Pad）

• 多孔聚氨酯材料，硬度/孔隙率影響平坦化效率。需與Slurry協(xié)同優(yōu)化，如硬墊（IC1000）配高活性拋光液提升MRR。

3. 工藝控制

• 終點(diǎn)檢測(cè)（如光學(xué)干涉法）確保厚度精度（±5nm）；清洗步驟減少殘留顆粒（缺陷密度＜0.1/cm²）。

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二、細(xì)分工藝應(yīng)用

三、國(guó)產(chǎn)化突破路徑 ：CMP拋光液/CMP拋光墊國(guó)產(chǎn)替代

1. 技術(shù)壁壘

• 高端Slurry市場(chǎng)被Cabot、杜邦壟斷（市占＞70%），核心專(zhuān)利涉及納米磨料分散穩(wěn)定性及金屬絡(luò)合劑配方。

2. 吉致電子積極研發(fā)生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)替代化CMP耗材

• 定制化開(kāi)發(fā)：與晶圓、芯片廠家、高校研究所等聯(lián)合開(kāi)發(fā)，從技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、市場(chǎng)策略等多維度推進(jìn)

• 磨料自主化，材料創(chuàng)新，配方優(yōu)化。（拋光墊PAD suba800/環(huán)球IC1000/LP66國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品技術(shù)成熟穩(wěn)定）
  

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