在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：
碳化硅拋光墊選型要點
一、碳化硅襯底粗磨階段
需求：高材料去除率、強(qiáng)耐磨性。
推薦：高硬度復(fù)合無紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設(shè)計增強(qiáng)研磨液流動性，避免碎屑堆積。
二、碳化硅襯底精磨階段
需求：平衡表面平整度與中等去除率。
推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性，減少亞表面損傷。
碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）

三、碳化硅襯底粗拋階段
需求：過渡到低表面粗糙度，保持較高效率。
推薦：軟質(zhì)復(fù)合墊（如吉致電子改性聚氨酯墊JZ-2020），開槽設(shè)計優(yōu)化CMP拋光液分布。

四、碳化硅襯底精拋階段
需求：超低缺陷、納米級表面精度。
推薦：超細(xì)纖維無紡布或多孔聚氨酯墊JZ-326，高平坦性且易清洗（可替代Suba800/400）。

吉致電子CMP拋光墊核心優(yōu)勢
· 材料技術(shù)：復(fù)合無紡布+聚氨酯改性配方，兼顧硬度與彈性，適配碳化硅高硬度特性。
·工藝設(shè)計：
·壓紋/開槽結(jié)構(gòu)：維持拋光液流動，減少沾粘，延長壽命。
·耐酸堿材質(zhì)：適合酸性（如SiO?膠體）或堿性拋光液環(huán)境。
·替代兼容性：可無縫替代Cabot Suba系列，性價比更高。
吉致電子服務(wù)流程
·1V1方案定制：提供晶圓尺寸、目標(biāo)粗糙度（Ra）、現(xiàn)有工藝參數(shù)等，吉致電子工程師制定拋光墊CMP PAD產(chǎn)品選型方案。（如JZ系列粗磨墊、JZ系列精拋墊）。
·免費試樣：驗證與現(xiàn)有工藝的兼容性。
·售后支持：拋光墊使用情況跟蹤回訪及技術(shù)指導(dǎo)。

無錫吉致電子科技有限公司

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