第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別
隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視,近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛,CMP Slurry 半導(dǎo)體拋光液的需求也在增長(zhǎng)。其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注,兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。
同為寬近帶半導(dǎo)體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求,這類(lèi)材料的市場(chǎng)需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。
①性能不同:高電子遷移率和電子飽和速度允許更高的工作頻率,高臨界場(chǎng)允許這些器件能在更高的電壓和更低的漏電流中操作。對(duì)于射頻和開(kāi)關(guān)電源設(shè)備而言,氮化鎵NaG的電子遷移率高于碳化硅SiC,而碳化硅高于硅,故氮化鎵應(yīng)該最終成為極高頻率的最佳設(shè)備材料,高導(dǎo)熱系數(shù)意味著材料能夠更有效的傳導(dǎo)熱量,碳化硅具有更高的熱導(dǎo)率,意味著碳化硅器件理論上可以在更高的功率密度下操作。氮化鎵相對(duì)較差的導(dǎo)熱性使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員處理氮化鎵器件的熱量管理面臨一個(gè)挑戰(zhàn)。
②應(yīng)用不同:氮化鎵和碳化硅在材料性能上各有優(yōu)劣,因此在應(yīng)用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補(bǔ)。
氮化鎵的商業(yè)化應(yīng)用始于led照明和激光器,而射頻和功率器件是發(fā)揮氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體特性的主要應(yīng)用領(lǐng)域。5G基站會(huì)用到多發(fā)多收天線陣列方案,氮化鎵射頻器件對(duì)于整個(gè)天線系統(tǒng)的功耗和尺寸都有巨大的改進(jìn),因此5G通信將是氮化鎵射頻器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。碳化硅能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開(kāi)關(guān)損耗,因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率,更容易實(shí)現(xiàn)模塊的小型化,更耐高溫。目前主要用于高溫、高頻、高效能的大功率元件,如智能電網(wǎng)、交通、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電。其中新能源汽車(chē)是碳化硅功率器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素,主要的運(yùn)動(dòng)器件有功率控制單元、逆電器、BCDC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器等。
吉致電子關(guān)于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅、氮化鎵的CMP化學(xué)機(jī)械表面平坦化工藝,研發(fā)的研磨液拋光液,具有低缺陷、高去除率和良好的平坦化效果,我司碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液在實(shí)際應(yīng)用中均有良好的表現(xiàn),數(shù)據(jù)媲美進(jìn)口半導(dǎo)體拋光液,可以做到國(guó)產(chǎn)化替代。
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