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        吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

        文章出處:責任編輯:人氣:-發表時間:2023-11-24 16:59【

           拋光液是CMP的關鍵耗材之一,拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發生化學反應,生成薄且剪切強度很低的化學反應膜,反應膜(軟質層)在磨粒的機械作用下被去除,露出新的表面,接著又繼續生成新的反應膜,CMP工藝周而復始的進行磨拋,達到表面平坦效果。

          通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液,對SiC晶片進行機械拋光加工后,可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕,且有較深的殘留應力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質量,改善粗糙度及平整度,,超精密拋光是SiC表面加工工序中非常關鍵的一個環節。其中化學機械拋光(CMP)技術是目前實現SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通過化學腐蝕和機械磨損協同作用,實現工件表面材料去除及平坦化的過程。

          吉致電子碳化硅拋光液的質量對拋光速率及拋光質量有著重要作用,拋光液特點是:

        sic研磨拋光方案 CMP碳化硅

          ①流動性好,易循環,低殘留、易清洗;

          ②懸浮性能好,不宜沉淀和結塊;

          ③去除率高,不產生表面損傷;

          拋光液通過粗拋、精拋工藝可使SiC表面質量特征參數符合后序加工中的精度要求。

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