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        半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

        文章出處:責任編輯:人氣:-發表時間:2023-10-31 17:20【

          拋光是晶片表面加工的最后一道工序,目的是降低表面粗糙度,獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料,目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液,可達到理想的表面粗糙度。

        磷化銦INP作為半導體襯底,需要經過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質地軟脆,在鋸切及研磨加工工藝中,晶片表面容易產生表面/亞表面損傷層,需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。

        磷化銦拋光液 吉致電子科技

          吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁作為磨料,由于氧化鋁本身的莫氏硬度要大于二氧化硅,所以也要采用化學作用較強的氧化劑與之匹配。在清洗方面氧化鋁拋光液不同于硅溶膠,不會在芯片表面有一層吸附層,所以在最后芯片的清洗方面有著明顯的優勢。

          吉致電子半導體拋光液針對不同晶圓配制專業CMP拋光液:鈮酸鋰拋光液、磷化銦拋光液、砷化鎵拋光液、碳化硅SiC拋光液等,免費咨詢17706168670申領樣品。

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