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吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區別

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-05-29 15:44【

  在半導體制造過(guò)程中,襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著(zhù)重要的角色,但在定義、結構和用途上存在一些差異和區別,CMP磨拋工藝也有不同側重。
  襯底---作為基礎層的材料,承載著(zhù)芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片,作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度,確保后續工藝如外延生長(cháng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。
  晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片,作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝的主要目的是調整其厚度、平行度以及表面粗糙度,以滿(mǎn)足高精度制造的要求。晶圓是半導體制造中的關(guān)鍵部件,通常為圓形,直徑從幾厘米到幾十厘米不等。

吉致電子晶圓襯底拋光

  在半導體制造過(guò)程中,CMP技術(shù)起著(zhù)關(guān)鍵作用,拋光液和拋光墊是其中的重要耗材,占據成本主要部分。CMP(晶圓表面平坦化)技術(shù)是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝,其工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下,通過(guò)化學(xué)和機械的組合技術(shù)實(shí)現高質(zhì)量的表面拋光。CMP 拋光材料主要包括拋光液、拋光墊、調節劑、清洗劑等。吉致電子擁有CMP半導體拋光液、拋光墊等耗材的全流程核心研發(fā)和制造技術(shù),為您提供半導體襯底、外延、晶圓等工件磨拋cmp加工應用解決方案。

 

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