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CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-03-20 17:22【

CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨影響嗎?

CMP工藝離不開(kāi)設備機臺及耗材,其中耗材主要包括拋光墊slurry和拋光液Pad。

影響半導體晶圓CMP效果主要因素如下:

①設備參數:拋光時(shí)間、研磨盤(pán)轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;

研磨液參數:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯系數等 ;

③拋光墊參數:硬度、密度、空隙大小、彈性等;

④CMP對象薄膜參數:種類(lèi)、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。

吉致電子CMP拋光耗材工藝展示

半導體晶圓CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對CMP工藝效應有關(guān)鍵影響。

1. CMP拋光液:Slurry是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物,可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜,再由拋光液中的磨粒去除,達到拋光的目的。半導體拋光液的成分不同,拋磨效果也不同。

2. CMP拋光墊:Pad主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩定的拋光環(huán)境等;

3. CMP鉆石碟:是CMP工藝中必不可少的耗材,用于維持拋光墊表面一定的粗糙狀態(tài),通常與CMP拋光墊配套使用。

4. CMP清洗液:主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無(wú)機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì),滿(mǎn)足集成電路制造對清潔度的極高要求,對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。

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