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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
  碳化硅襯底需要CMP嗎?需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱(chēng)“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(cháng)的襯底表面,同時(shí)使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。  化學(xué)機械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現的。碳化硅晶圓置于研磨片上,通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應及物理摩擦中,僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液,以及研
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[常見(jiàn)問(wèn)題]CMP化學(xué)機械拋光在半導體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
  化學(xué)機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(cháng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節。&nbs
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[應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機械拋光。隨著(zhù)對鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高,同時(shí)為了提高拋光效率,新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機械拋光 被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理,配制組成的CMP拋光液,通過(guò)化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性,同時(shí)進(jìn)行高速的機械拋光,用來(lái)消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機械拋光對環(huán)境污染最小,不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好,快速有效降低原始工件表面粗糙度,經(jīng)過(guò)粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果,無(wú)劃傷、無(wú)凹坑、無(wú)麻點(diǎn)橘皮。根據金屬的種
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[行業(yè)資訊]CMP在半導體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
  化學(xué)機械拋光(CMP)是實(shí)現晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過(guò)化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講,半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實(shí)現平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節主要包括 7 個(gè)相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(cháng)、擴散、離子注
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[應用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據半導體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機械拋光液、阻擋層化學(xué)機械拋光液、銅化學(xué)機械拋光液、硅化學(xué)機械拋光液、鎢化學(xué)機械拋光液、TSV化學(xué)機械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著(zhù)關(guān)鍵作用,拋光液的種類(lèi)、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來(lái),在人工智能、5G、數據中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應用領(lǐng)域不斷擴大、市場(chǎng)規模不斷擴大,進(jìn)而帶動(dòng)
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[應用案例]硬質(zhì)合金拋光液--鏡面拋光鎢鋼刀片[ 2023-04-14 15:01 ]
   硬質(zhì)合金刀片具有硬度高、韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能,特別是它的高硬度和耐磨性,在1000℃時(shí)仍保持較高的硬度。硬質(zhì)合金鎢鋼工件對于很多拋光工藝來(lái)說(shuō)屬于比較難加工的一種材質(zhì)。鎢鋼刀片拋光目前可通過(guò)CMP化學(xué)機械拋光工藝,搭配金屬專(zhuān)用拋光液達到理想的表面光潔度。  硬質(zhì)合金刀片又叫鎢鋼刀片,原始件表面有銹斑、劃痕和麻點(diǎn)等不良現象,要解決這些問(wèn)題需通過(guò)平面研磨機配合吉致電子硬質(zhì)合金研磨液、研磨墊、研磨盤(pán)等達到鏡面效果。  硬質(zhì)合金的CMP機械化學(xué)鏡面拋光,經(jīng)過(guò)粗拋
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見(jiàn)的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
  CMP 化學(xué)機械拋光液slurry的主要成分包括:磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類(lèi)根據產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同,分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含:金屬絡(luò )合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含:各種調節去除速率和選擇比的添加劑。  根據拋光對象不同,拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類(lèi)別。其中,銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過(guò)程,在10nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)中,鈷將部分代替銅作為導線(xiàn);硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過(guò)程中。吉致電子常見(jiàn)的CMP研
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[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機械拋光液---什么是TSV技術(shù)?[ 2023-02-24 15:34 ]
銅機械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)?TSV全稱(chēng)為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實(shí)現硅通孔的垂直電氣互連,實(shí)現芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著(zhù)優(yōu)勢:TSV可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(cháng)度,減小信號延遲,降低電容/電感,實(shí)現芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現器件集成的小型化。吉致電子
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[常見(jiàn)問(wèn)題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]
  CMP化學(xué)機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光,吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用,主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序,包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據工件參數要求,需要調整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素,直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導體行業(yè)CMP環(huán)節之中,也存在
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[應用案例]鋁合金拋光液--鋁質(zhì)工件鏡面拋光[ 2022-12-29 10:44 ]
  鋁合金地較軟,硬度低,因此在加工成型過(guò)程中極易產(chǎn)生機械損傷造成劃痕、磨損等表面缺陷,同時(shí)易發(fā)生腐蝕,表面的化學(xué)穩定性差。為了消除加工過(guò)程中的缺陷,通常采用CMP化學(xué)機械拋光方法,以期獲得良好的表面光潔度。  隨著(zhù)高新技術(shù)的發(fā)展,吉致電子鋁合金拋光液已經(jīng)有成熟的技術(shù)支持,可以實(shí)現對CMP拋磨材料極高精度、近乎無(wú)缺陷的超精密平面化加工。CMP可以真正使鋁合金襯底實(shí)現全局平面化,得到近似完美的表面和極低的表面粗超度,且大大提高了生產(chǎn)率,降低了生產(chǎn)成本。鋁合金工件加工的表面均勻一致性好、近乎無(wú)表面損
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[行業(yè)資訊]SIT Slurry平坦化流程與方法[ 2022-12-15 15:44 ]
淺槽隔離(shallow trench isolation),簡(jiǎn)稱(chēng)STI。是在襯底上制作的晶體管有源區之間隔離區的一種可選工藝,通常用于亞0.25um工藝以下,利用掩模完成選擇性氧化,主要絕緣材料是淀積SiO?,淺槽隔離主要分為三個(gè)部分:槽刻蝕,氧化硅填充,CMP拋光液平坦化。一,槽刻蝕1,隔離氧化硅生成:氧化硅用于保護有源區在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積:氮化硅是堅硬的掩模材料,有助于保護STI氧化硅淀積過(guò)程中保護有源區;在化學(xué)機械拋光(CMP)中充當阻擋材料3,淺槽刻蝕:用氟基和氯基氣體
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[常見(jiàn)問(wèn)題]SIC碳化硅的化學(xué)機械拋光工藝[ 2022-12-14 16:20 ]
  碳化硅Sic單晶生長(cháng)之后是晶碇,而且具有表面缺陷,是沒(méi)法直接用于外延的,這就需要加工。其中,滾圓把晶碇做成標準的圓柱體,線(xiàn)切割會(huì )把晶碇切割成晶片,各種表征保證加工的方向,而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除:機械拋光:簡(jiǎn)單但會(huì )殘留劃痕,適用于初拋;化學(xué)機械拋光:(Chemical Mechanical Polishing,CMP),引入化學(xué)腐蝕去除劃痕,適用于精拋;氫氣刻蝕:設備復雜,常用于HTCVD過(guò)程;等離子輔助拋光:設備復雜,不常用。選擇CMP
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[行業(yè)資訊]吉致電子藍寶石研磨液CMP減薄工藝[ 2022-11-30 17:01 ]
  藍寶石研磨液/拋光液,是通過(guò)化學(xué)機械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing ) 用于藍寶石襯底、窗口片的研磨和減薄,達到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性,在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍寶石研磨液、CMP拋光液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研
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[應用案例]玉石拋光液---玉石表盤(pán)的CMP拋光工藝[ 2022-11-15 14:12 ]
  一款玉石制成的腕表,優(yōu)雅大氣,彰顯如玉的君子氣質(zhì)。和田玉表盤(pán)的去粗及拋磨拋亮,是可以通過(guò)CMP化學(xué)機械拋光工藝來(lái)實(shí)現。  玉石表面亮度還受兩個(gè)因素的影響:一是玉料的材質(zhì),二是玉料的結構,雖然大多數玉料都是晶體結構,但晶體的粒度和分布狀況不同,呈纖維狀的玉料易于拋光,呈粒狀纖維的玉料不容易拋光。  通過(guò)吉致電子玉石拋光液與拋光墊的組合拋磨,去除毛坯料表面凹凸不平劃痕,還原玉石本真的光澤,拋光后表盤(pán)工件看起來(lái)綿密細膩、油脂感足。通過(guò)CMP拋光玉石的優(yōu)點(diǎn)是可以快速減薄尺寸,拋光效率快、亮
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[應用案例]吉致電子金屬拋光液---Apple Logo鏡面拋光液[ 2022-11-11 17:21 ]
Apple Logo非常有質(zhì)感,其閃閃發(fā)光的鏡面效果展現出蘋(píng)果品牌的魅力與審美。一個(gè)完美蘋(píng)果LOGO的誕生需要經(jīng)過(guò)化學(xué)機械拋光工藝的拋磨,CMP工藝拋出的光潔度更高,效率更穩定,保證良品率的同時(shí)也為品牌塑造更好的形象。Apple Logo采用的是6063鋁合金材質(zhì)/不銹鋼材質(zhì),進(jìn)行CNC切割成LOGO形狀,然后通過(guò)平面拋光機進(jìn)行拋光,采用復合型粗拋墊和CMP拋光液進(jìn)行粗拋平整化,最后通過(guò)采用阻尼布精拋墊加精拋液拋磨,達到完美的鏡面效果。吉致電子為蘋(píng)果LOGO定制的金屬拋光液,工藝為粗磨,中磨,精拋。拋光速率快,光潔
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅襯底CMP化學(xué)機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊,拋磨工藝一般分為3道流程:雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來(lái)看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨:一般使用雙面鑄鐵盤(pán)配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工;主要目的是去除線(xiàn)切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝:針對碳化硅襯底加工采用專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統工藝中較高的的拋光速率(與精磨基本相當)又可以達到傳統工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝:SIC晶圓精
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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光液的成分[ 2022-09-21 15:41 ]
  藍寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調節劑等,拋光液是影響CMP(化學(xué)機械拋光)效果最重要的因素之一。評價(jià)拋光液性能好壞的指標是流動(dòng)性好,分散均勻,在規定時(shí)間內不能產(chǎn)生團聚、沉淀、分層等問(wèn)題,磨料懸浮性能好,拋光速率快,易清洗且綠色環(huán)保等。  其中,磨料主要影響化學(xué)機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類(lèi)、濃度以及粒徑三個(gè)方面來(lái)考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料,也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復合磨料等。行業(yè)內主流拋光
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[常見(jiàn)問(wèn)題]什么是混合磨料拋光液?[ 2022-09-08 16:12 ]
混合磨料拋光液  拋磨工件材質(zhì)的升級和發(fā)展,對鏡面要求越來(lái)越高,單一的磨料已無(wú)法滿(mǎn)足CMP行業(yè)需求,研究人員開(kāi)始嘗試將不同粒徑、不同形貌的一種或多種粒子組合到一起使用,開(kāi)發(fā)出混合型拋光液。比如,在大粒徑二氧化硅中加入小粒徑的氧化硅,這樣能明顯提高拋光速率,且粒徑相差越大提升率越高,這是因為在磨料在總的質(zhì)量分數不變的條件下,增大小粒徑磨料的占比能增加硅溶膠顆粒的總體數量,從而起到了提高拋光速率的作用。  大量的研究成果表明,混合粒子的使用能夠不同程度的提高化學(xué)機械拋光的速率,但是對拋光后表面粗糙度
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液適用設備有哪些?[ 2022-08-23 16:48 ]
  吉致電子研發(fā)的拋光液產(chǎn)品廣泛應用于金屬、光電、集成電路半導體、陶瓷、硬盤(pán)、面板顯示器等材質(zhì)表面的深度處理。吉致電子CMP拋光耗材產(chǎn)品可廣泛應用于各種CMP領(lǐng)域,包括Lapping機臺、五軸機臺、單面拋光機、雙面拋光機等其他研磨拋光機臺設備。  拋光液升級配方可用于半導體行業(yè)硅片硅襯底減薄、碳化硅襯底拋光、藍寶石襯底拋光。針對性更強的拋光液產(chǎn)品如阻擋層化學(xué)機械拋光液,鎢化學(xué)機械拋光液以及介質(zhì)層化學(xué)機械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機械拋光液、用于3D封裝TSV化學(xué)機械拋光液可詳細咨詢(xún)。拋光液的特點(diǎn)是不傷
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[行業(yè)資訊]溫度對CMP拋光的影響有哪些[ 2022-07-15 15:13 ]
  化學(xué)機械拋光(CMP)中,拋光墊大面積接觸工件,提高了一致性和拋磨效率,然而在拋光過(guò)程中,拋光墊也會(huì )不斷地磨損和消耗,各種因素都會(huì )影響拋光墊的性能和使用壽命,其中直接的因素就是溫度。  在化學(xué)機械拋光過(guò)程中,拋光墊的溫度通常會(huì )在兩種情況下升高。一個(gè)是固體和固體之間的物理摩擦接觸。摩擦力引起的溫度上升可能導致拋光墊的局部溫度上升到30℃。當拋光在液壓釋放模式下進(jìn)行時(shí),熱量釋放將被釋放。另一種是拋光液和拋光墊之間的化學(xué)反應釋放的熱量引起的溫度升高。當拋光墊的溫度超過(guò)一定限度時(shí),拋光墊的聚氨酯材料
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