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藍寶石晶圓研磨拋光

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-12-28 13:57【

  藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值,具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度,高效率和高穩定性的機器和工藝,使用吉致電子藍寶石拋光液拋光墊進(jìn)行CMP研磨拋光即可實(shí)現這一過(guò)程。

  通過(guò)使用CMP拋光工藝,藍寶石工件可以達到理想的表面粗糙度。每個(gè)拋光的藍寶石晶片在加工過(guò)程中都會(huì )有均勻一致的材料去除,并且表面光潔度始終如一。通過(guò)改變壓力負載,可以實(shí)現每小時(shí)1-2μm的材料去除率(MRR)。

  藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從藍寶石的晶面屬性來(lái)看,A向晶面的硬度高于C向晶面的硬度。而手機屏面屬于A(yíng)向藍寶石晶面,其拋光難度最高。藍寶石A向拋光一般分為研磨、銅拋和精拋三個(gè)階段。研磨工段的作用在于,降低藍寶石原料片切削過(guò)程產(chǎn)生的表面階梯性劃痕深度,更主要的是使批量藍寶石原料片的厚度盡量達到一致。

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