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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對(duì)互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機(jī)理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子TSV銅化學(xué)機(jī)械拋光液：助力3D先進(jìn)封裝技術(shù)突破[ 2025-04-17 15:36 ]
在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔，并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號(hào)延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計(jì)算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的
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[常見問題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[行業(yè)資訊]吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點(diǎn)[ 2024-10-18 16:13 ]
  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學(xué)機(jī)械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學(xué)機(jī)械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴(yán)格需求。在一些對(duì)表面精度要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對(duì)比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠?yàn)楣獠▽?dǎo)提供更好的
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低
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[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
  CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研
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[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？[ 2023-02-24 15:34 ]
銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì)：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液適用設(shè)備有哪些？[ 2022-08-23 16:48 ]
  吉致電子研發(fā)的拋光液產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤、面板顯示器等材質(zhì)表面的深度處理。吉致電子CMP拋光耗材產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于各種CMP領(lǐng)域，包括Lapping機(jī)臺(tái)、五軸機(jī)臺(tái)、單面拋光機(jī)、雙面拋光機(jī)等其他研磨拋光機(jī)臺(tái)設(shè)備。  拋光液升級(jí)配方可用于半導(dǎo)體行業(yè)硅片硅襯底減薄、碳化硅襯底拋光、藍(lán)寶石襯底拋光。針對(duì)性更強(qiáng)的拋光液產(chǎn)品如阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液，鎢化學(xué)機(jī)械拋光液以及介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液、用于3D封裝TSV化學(xué)機(jī)械拋光液可詳細(xì)咨詢。拋光液的特點(diǎn)是不傷
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[行業(yè)資訊]吉致資訊第119期 藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光液作用研究[ 2017-10-13 16:44 ]
目前，藍(lán)寶石基片是LED工業(yè)的首選襯底，藍(lán)寶石表面的質(zhì)量對(duì)LED器件的質(zhì)量和性能有著非常重要的影響。因此，在生產(chǎn)藍(lán)寶石基片時(shí)，對(duì)后一道工序拋光加工工序有很高的要求，要求藍(lán)寶石基片的表面光滑、無缺陷，這也是藍(lán)寶石襯底重要的制程。但是，由于藍(lán)寶石晶體材料硬度高，脆性大，屬于典型的難加工材料之一。因此，如何讓拋光加工滿足日益增長的嚴(yán)格要求長期以來備受關(guān)注。如今的化學(xué)機(jī)械拋光是一可實(shí)現(xiàn)全局平坦化的拋光方法，而且它的成本相對(duì)較低，也是迄今為止可以在藍(lán)寶石生產(chǎn)中大規(guī)模應(yīng)用的拋光方法。硅溶膠為納米的二氧化硅顆粒，在水中
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